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技(ji)術文章GB/T 17473.4—-2008微電子技(ji)術用貴(gui)金屬(shu)漿(jiang)料(liao)測(ce)試方(fang)法 附著(zhe)力(li)測定
1範圍
本(ben)部分(fen)規定了(le)微電子技(ji)術用貴(gui)金屬(shu)漿(jiang)料(liao)附(fu)著力(li)的(de)測(ce)試方(fang)法。本(ben)部分(fen)適(shi)用於微電子技(ji)術用貴(gui)金屬(shu)漿(jiang)料(liao)附(fu)著力(li)的(de)測(ce)定。
2規範性引(yin)用文件
下(xia)列(lie)文件中的(de)條(tiao)款通(tong)過(guo)本(ben)部分(fen)的(de)引(yin)用而(er)成(cheng)為(wei)本(ben)部分(fen)的(de)條(tiao)款。凡是(shi)註(zhu)日期的(de)引(yin)用文件,其隨後所有(you)的(de)修(xiu)改單(dan)(不(bu)包括(kuo)勘(kan)誤的(de)內(nei)容(rong))或(huo)修(xiu)訂版(ban)均不(bu)適(shi)用於本(ben)部分(fen),然而(er),鼓勵根(gen)據本(ben)部分(fen)瓏般(ban)協議(yi)的(de)各(ge)方(fang)研究是(shi)否可使用這些文件的(de)最(zui)新(xin)版(ban)本(ben)。凡是(shi)不(bu)註日期的(de)引(yin)用文件,其最新(xin)版(ban)本(ben)適(shi)用於本(ben)部分(fen)。
GB/T 8170數值(zhi)慘(can)約(yue)規則
3方(fang)法原理(li)
將(jiang)銅(tong)線(xian)焊(han)接在陶瓷(ci)基片上(shang)印燒(shao)好(hao)的(de)貴(gui)金屬(shu)漿(jiang)料(liao)膜層(ceng)圖形上(shang),銅線(xian)踟(chi)魋(魋)於(yu)基(ji)片表(biao)面(mian)彎折(zhe)90°後,置(zhi)於拉(la)力(li)試驗機(ji)上(shang),以(yi)壹(yi)定的(de)速(su)度均勻(yun)地從基片上(shang)拉脫(tuo)引(yin)線﹐用引線拉脫(tuo)時力(li)的(de)平(ping)均值(zhi)來(lai)表(biao)示(shi)漿(jiang)料(liao)的(de)附(fu)著力(li)。
4材料(liao)
4.1 AlO,純(chun)度不(bu)小(xiao)於95%的(de)陶(tao)瓷基(ji)片,其表面(mian)粗(cu)糙度範圍為(wei)0.5 pum~1.5 um(在測(ce)量(liang)距離(li)為(wei)10 mm的(de)條(tiao)件下(xia)測量(liang))。
4.2 HLSn63PbA或(huo)HLSn63PbB錫鉛(qian)焊料(liao);HLSn63PbAgA或(huo)HLSn63PbAgB錫鉛(qian)銀焊料(liao);SnAg8.OCu0.5無鉛焊料(liao)。
4.3引(yin)線為(wei)直徑(jing)0.8 tnm士0.02 tnm的(de)鍍錫銅(tong)線。4.4容(rong)量(liang)不(bu)小(xiao)於150 mL的(de)焊(han)科(ke)槽(cao)。
4.5助(zhu)焊(han)劑;松香酒精溶(rong)液(ye),質(zhi)量(liang)濃(nong)度為(wei)0.15 g/mI~20 g/tnL。
5儀(yi)器(qi)與設備(bei)

ETT-AM電子拉力(li)試驗機(ji)
5.1拉力(li)試驗機(ji):量(liang)程為(wei)0 N~100 N,測量(liang)與記錄(lu)所施(shi)加(jia)拉(la)力(li)的(de)精確(que)度應達到±5%。5.2絲(si)網印劇(ju)機,孔(kong)徑(jing)為(wei)74pm絲(si)網。
5.3隧(sui)道燒結(jie)爐,最(zui)高使用溫度為(wei)1000℃,控溫精度為(wei)士10℃。5.4測(ce)厚(hou)儀(yi):精度為(wei)1 jum。
6測定步(bu)驟(zhou)
在溫度15℃~35℃,相對濕度45%~75%,大(da)氣(qi)壓(ya)力(li)86 kPe~106 kPa條件下(xia)進行測(ce)定。6.1漿料(liao)膜層(ceng)制(zhi)備(bei)
6.1.1將(jiang)送(song)檢(jian)漿料(liao)攪(jiao)拌(ban)均勾(gou),在陶瓷基片中央(yang)印刷(shua)成(cheng)2 mm×2 mm的(de)圖形,圖形外觀(guan)應均勻(yun)壹致(zhi)。每(mei)份(fen)試(shi)料(liao)印刷(shua)總(zong)數不(bu)少於(yu)10片。
6.1.2將(jiang)印有(you)圖形的(de)陶(tao)瓷基(ji)片在(zai)150℃~200℃烘(hong)幹(gan),根(gen)據不(bu)同漿(jiang)料(liao)的(de)燒(shao)結(jie)溫度燒結(jie)成(cheng)膜。
6.1.3燒(shao)成(cheng)膜厚(hou)為(wei)11 pm士2 parn .6.2引(yin)線(xian)制(zhi)備(bei)
引(yin)線(xian)剪(jian)成(cheng)100 mm長的(de)短(duan)線,校(xiao)直(zhi)後按圖1所示成(cheng)形,清(qing)洗晾(liang)幹。

6.3引(yin)線(xian)焊(han)接
HLSn63PbA或(huo)HLSn63PbB鐲(zhuo)鉛斕料(liao)用於含鉛無銀導體(ti)焊(han)接(jie)﹐HL.Sn63PbAgA或(huo)HLSn63PbAgB錫鉛(qian)銀焊料(liao)用於含鉛含(han)銀(yin)導(dao)體(ti)焊(han)劇(ju),SnAg3.0Cu0.5焊(han)料(liao)用於無鉛導體(ti)漿(jiang)料(liao)焊(han)接。
6.3.1―將引線(xian)定位於燒(shao)成(cheng)膜中央(yang),引線(xian)的(de)彎鉤(gou)端應緊(jin)夾於(yu)基片的(de)側(ce)表面(mian)上(shang),見(jian)圖1c),固定引線位(wei)置(zhi),將(jiang)基(ji)片沿彎鉤(gou)浸入助(zhu)焊(han)劑中。
6.3.2將(jiang)焊料(liao)槽(cao)中焊(han)料(liao)加(jia)熱賠化,含(han)鉛(qian)焊(han)料(liao)溫度控制(zhi)在225℃士5℃,無鉛焊料(liao)溫度控制(zhi)在250℃±5℃,清(qing)除熔融(rong)焊(han)料(liao)表(biao)面爆窗(chuang)邸(di)阿(e)化膜,將(jiang)浸有(you)助(zhu)焊(han)劑的(de)基(ji)片接(jie)觸(chu)焊(han)料(liao)表(biao)面並(bing)在該(gai)位置(zhi)保(bao)持(chi)1 s~5 s,再(zai)插入(ru)槽(cao)中,直(zhi)至焊(han)料(liao)浸沒全郜燒成(cheng)膜v浸錫時間為(wei)10 s士l s.
6.3.3將(jiang)已(yi)浸潤好(hao)的(de)試(shi)駘(tai)基(ji)片以(yi)均勻(yun)速(su)度從焊料(liao)槽(cao)中取(qu)出(chu).引線繼續固定原位(wei),拿平(ping):直至焊接(jie)處的(de)焊(han)料(liao)充(chong)分(fen)凝固(gu),不(bu)得強(qiang)制(zhi)冷(leng)卻(que)焊(han)接(jie)處的(de)焊(han)料(liao)。
6.3.4基(ji)片冷(leng)卻(que)到(dao)室(shi)溫,用無水乙醇(chun)洗(xi)去殘余(yu)助(zhu)焊(han)劑,晾(liang)於,並(bing)在室(shi)溫下硬(ying)化(hua)16 h以(yi)上(shang)。6.3.5﹑引線(xian)沿燒或(huo)膜邊(bian)緣(yuan)成(cheng)9o"°彎折(zhe).彎折(zhe)點與燒成(cheng)膜約(yue)1.5 mm,如圖﹖所示。
6.4拉伸(shen)
將(jiang)成(cheng)形試(shi)料(liao)夾(jia)在拉力(li)試驗機(ji)上(shang)﹐以(yi)10 mm/min 的(de)速(su)度均勻(yun)地從基片上(shang)拉引(yin)線(xian),記下從基片上(shang)拉脫(tuo)燒(shao)成(cheng)膜所(suo)需的(de)最(zui)大(da)拉(la)力(li)及失效(xiao)模式。
6.5每次(ci)試驗(yan)焊接失(shi)效(xiao)模(mo)式,用下列(lie)情況(kuang)標註記(ji)錄(lu)說明:
a)燒(shao)成(cheng)膜與基片分(fen)離(li),焊點(dian)處僅殘(can)留(liu)很(hen)少金(jin)屬(shu)﹔b)分(fen)離(li)產生(sheng)於(yu)焊縫(feng),而(er)燒成(cheng)膜完(wan)好(hao)地留在(zai)基片上(shang);c)分(fen)離(li)產生(sheng)於(yu)引線(xian)下(xia)部分(fen)的(de)燒(shao)成(cheng)膜與基片之間。6.6每份試料(liao)要(yao)做不(bu)少於(yu)10個(ge)試(shi)樣(yang)的(de)試(shi)驗。
7測(ce)定結(jie)果(guo)計算(suan)
7.1按式(1)計算(suan)平均破壞力(li)F:
